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芯片制程突破1nm后,这个发展方向很有前景

作者:时间:2020-08-31来源:科技Talk收藏

众所周知,芯片的工艺是越来越先进,台积电的代工能力已经到5nm了,而且直言不讳的表示3nm、2nm已经在路上了。

本文引用地址:http://www.gzmtlsjy.com/article/202008/417711.htm

随着集成电路的发展,计算机一直受到摩尔定律的支配,目前,芯片都是由硅为基础,在上面刻蚀电路,但是,理论研究表明,当芯片制程达到的时候,,就是电子不受控制,所以这是人们很担心的问题,后怎么办?

芯片上有无数个晶体管,他们是芯片的核心,也就说,目前的技术是要把晶体管做的越来越小,这样,芯片上能容纳的晶体管就很多,芯片的性能就随之增加。而目前最小的是1 nm栅极长度的二硫化钼晶体管。而且,并不是到才会发生击穿效应,而是进入7nm节点后,这个现象就越来越明显了,电子从一个晶体管跑向另一个晶体管而不受控制,晶体管就丧失了原来的作用。

目前人类马上将硅基材料的性能压缩到了极限,所以,不能一棵树上吊死,更换材料已经被提上日程,而且,目前最有希望的便是二硫化钼(MoS2)。

硅和二硫化钼(MoS2)都有晶体结构,但是,二硫化钼对于控制电子的能力要强于硅,众所周知,晶体管由源极,漏极和栅极,栅极负责电子的流向,它是起开关作用,在1nm的时候,栅极已经很难发挥其作用了,而通过二硫化钼,则会解决这个问题,而且,二硫化钼的介电常数非常低,可以将栅极压缩到1nm完全没有问题。

黑龙江11选51nm是人类半导体发展的重要节点,可以说,能不能突破1nm的魔咒,关乎计算机的发展,虽然二硫化钼的应用价值非常大,但是,目前还在早期阶段,而且,如何批量生产1nm的晶体管还没有解决,但是,这并不妨碍二硫化钼在未来集成电路的前景。




关键词: 1nm 量子隧穿效应

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